Sirona Valdueza Felip

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Sirona Valdueza Felip

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Categoría: Personal Investigador - Ramón y Cajal

Departamento: Electrónica

Página personal Entorno de publicación docente

Estudios

Grado en Ingenieria Electrónica de Comunicaciones

Grado en Ingeniería en Sistemas de Telecomunicación

Grado en Ingeniería en Tecnologías de Telecomunicación

Grado en Ingeniería Telemática

Grupos de Investigación

Participa en: Ingeniería Fotónica

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Lineas de investigación

Ingeniería Fotónica

  • Comunicación óptica en especios inteligentes
  • Control de la velocidad de la luz
  • Enseñanza de la fotónica asistida por ordenador
  • Láminas Delgadas y cerámicas Ferroeléctricas para Dispositivos Microelectrónicos
  • Propiedades ópticas de los semiconductores
  • Sensores de Infrarrojo para aplicaciones biomédicas e industriales
  • Sensores de fibra óptica

Proyectos de Investigación

  • Título: Development of AlInN deposited by sputtering for Silicon based photodetectors (PhotoAl)
    Referencia:
    Investigador Principal: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Otros Investigadores: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; BLASCO CHICANO, Rodrigo;
    Fecha Inicio: 01/01/2017
    Fecha Fin: 31/12/2018
    Entidad financiadora: UNIVERSIDAD DE ALCALA
    Cuantia económica: 7000
  • Título: Desarrollo de nuevas técnicas y sistemas de información para la REhabilitación sostenible de PAvimentos de carreteras (REPARA 2.0)
    Referencia: 154/2015
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; VALDUEZA FELIP, Sirona; MARTÍN LÓPEZ, Sonia; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GARCÍA RUIZ, Andrés; LÓPEZ GIL, Alexia Inés; DOMÍNGUEZ LÓPEZ, Alejandro; CORREDERA GUILLÉN, Pedro;
    Fecha Inicio: 01/01/2016
    Fecha Fin: 31/12/2017
    Entidad financiadora: CHM OBRAS E INFRAESTRUCTURAS SA
    Cuantia económica: 57747.25
  • Título: III-Nitride Nanostructures for Photovoltaics (NitPho)
    Referencia: TEC2014-60483-R
    Investigador Principal: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Otros Investigadores: MONROY , Eva; BLASCO CHICANO, Rodrigo; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu;
    Fecha Inicio: 01/01/2015
    Fecha Fin: 31/12/2018
    Entidad financiadora: Ministerio de Ciencia e Innovación
    Cuantia económica: 45550
  • Título: Proyecto de investigación asociado al contrato como Investigador Ramón y Cajal
    Referencia:
    Investigador Principal: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Otros Investigadores:
    Fecha Inicio: 04/05/2015
    Fecha Fin: 03/05/2019
    Entidad financiadora: MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACIÓN (MICINN)
    Cuantia económica: 40000
  • Título: Grupo de Ingeniería fotónica (SINFOTON)
    Referencia: S2013/MIT-2790-SINFOTON-CM
    Investigador Principal: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; MONTEAGUDO LERMA, Laura; JIMÉNEZ RODRÍGUEZ, Marco; DOMÍNGUEZ LÓPEZ, Alejandro; PASTOR GRAELLS, Juan; RAMOS SAINZ, Pablo; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; LÓPEZ GIL, Alexia Inés; MARTÍN LÓPEZ, Sonia; ANGULO VINUESA, Xabier; ANDRÉS RUBIO, Ana Isabel de; LÓPEZ DORADO, Almudena; VALDUEZA FELIP, Sirona; GARCÍA RUIZ, Andrés; NUÑO DEL CAMPO, Javier; FERNÁNDEZ RUIZ, María del Rosario;
    Fecha Inicio: 01/10/2014
    Fecha Fin: 30/09/2018
    Entidad financiadora: COMUNIDAD AUTONOMA DE MADRID
    Cuantia económica: 46252
  • Título: Solar cells based on InGaN nanostructures on silicon (SolarIn)
    Referencia: Marie Curie IEF 331745
    Investigador Principal: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Otros Investigadores: MONROY , Eva;
    Fecha Inicio: 11/03/2013
    Fecha Fin: 10/03/2015
    Entidad financiadora: European Union
    Cuantia económica: 194046
  • Título: Desarrollo de InN de bajo coste para aplicaciones optoelectrónicas (DIBOS)
    Referencia:
    Investigador Principal: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé;
    Otros Investigadores: LÓPEZ DORADO, Almudena; ANDRÉS RUBIO, Ana Isabel de; RAMOS SAINZ, Pablo; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu;
    Fecha Inicio: 01/03/2012
    Fecha Fin: 28/02/2013
    Entidad financiadora: UNIVERSIDAD DE ALCALA
    Cuantia económica: 10000
  • Título: GaN quantum photonic devices for coherent T-ray sources (TeraGaN)
    Referencia: ERC-StG 278428
    Investigador Principal: MONROY , Eva;
    Otros Investigadores: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 01/01/2012
    Fecha Fin: 31/12/2016
    Entidad financiadora: European Union
    Cuantia económica: 1627236
  • Título: Nanostructures Nitrures pour le Photovoltaïque (NANIPHO)
    Referencia: A-CIEBC-01-02-02-05 DSM-Energie NANIPHO
    Investigador Principal: MONROY , Eva;
    Otros Investigadores: VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 01/01/2012
    Fecha Fin: 01/01/2013
    Entidad financiadora: French Atomic Energy Commission (CEA), DSM
    Cuantia económica: 70000
  • Título: Aplicación del laser Femtocomb al estudio de estructuras semiconductoras para comunicaciones ópticas
    Referencia: TEC2009-14423-C02-02
    Investigador Principal: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé;
    Otros Investigadores: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; VALDUEZA FELIP, Sirona; PULIDO DE TORRES, María Concepción; MONTEAGUDO LERMA, Laura; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu;
    Fecha Inicio: 01/01/2010
    Fecha Fin: 31/12/2012
    Entidad financiadora: MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACIÓN (MICINN)
    Cuantia económica: 119427
  • Título: Fotónica Aplicada a la Creación de Tecnologías Ópticas y su Transferencia a Empresas Madrleñas-II. FACTOTEM II
    Referencia: S2009/ESP-1781
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; DOMÍNGUEZ LÓPEZ, Alejandro; LÓPEZ GIL, Alexia Inés;
    Fecha Inicio: 01/01/2010
    Fecha Fin: 31/05/2014
    Entidad financiadora: COMUNIDAD AUTONOMA DE MADRID
    Cuantia económica: 81088
  • Título: Croissance des COuches Semipolaires de semiconducteurs NItrures de qualité optimale pour applications opto-électroniques (COSNI)
    Referencia: ANR-08-BLAN-0298-01
    Investigador Principal: MONROY , E.;
    Otros Investigadores: RUTERANA , P.; VALDUEZA FELIP, Sirona; NATAF , G.; TCHERNYCHEVA , M.;
    Fecha Inicio: 01/01/2009
    Fecha Fin: 31/12/2011
    Entidad financiadora: French National Research Agency (ANR)
    Cuantia económica: 2301122
  • Título: Realización de un demonstrador para la medida de tensiones de estrés en estructuras civiles usando el efecto Brillouin en fibras ópticas y redes de Bragg sobre fibras ópticas
    Referencia:
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: FONTECHA RODRÍGUEZ, José Luis; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; HERNANZ SANJUÁN, María Luisa; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; MARTÍN LÓPEZ, Sonia; ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; ABRARDI , Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 01/01/2008
    Fecha Fin: 31/12/2008
    Entidad financiadora: OBRUM URBANISMO Y CONSTRUCCIIONES, S.L.U.
    Cuantia económica: 24476
  • Título: Development of III-Nitride based structures for all-optical control of the speed of the light
    Referencia:
    Investigador Principal: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 01/01/2008
    Fecha Fin: 31/12/2009
    Entidad financiadora: DIRECCIÓN GENERAL DE INVESTIGACIÓN (MINISTERIO)
    Cuantia económica: 10500
  • Título: Group III-nitride quantum dots as optical transducers for chemical sensors (DOTSENSE)
    Referencia: STREP 224212
    Investigador Principal: MONROY , Eva;
    Otros Investigadores: EICKOFF , M.; VALDUEZA FELIP, Sirona; STUTZMANN , M.; KOMNINOU , Ph.; HELWING , A.;
    Fecha Inicio: 01/05/2008
    Fecha Fin: 30/04/2011
    Entidad financiadora: European Union
    Cuantia económica: 1155841
  • Título: IFzone: Investigación de técnicas avanzadas para la explotación ferroviaria en las Zonas Neutras de la catenaria de las Líneas de Alta Velocidad
    Referencia:
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura;
    Fecha Inicio: 22/12/2008
    Fecha Fin: 21/06/2011
    Entidad financiadora: MINISTERIO DE INDUSTRIA, TURISMO Y COMERCIO
    Cuantia económica: 135874
  • Título: Medida de distribución de temperatura en un transformados mediante fibra óptica fase A: estudio del equipo Raman y diseño del experimento final
    Referencia:
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; MARTÍN LÓPEZ, Sonia; VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 28/11/2008
    Fecha Fin: 28/12/2008
    Entidad financiadora: FUNDACION PARA EL FOMENTO DE LA INNOVACION INDUSTRIAL
    Cuantia económica: 11963.08
  • Título: MIFFO: Monitorización en tiempo real de infraestructuras ferroviarias utilizando tecnologías basadas en fibra óptica
    Referencia: PEIT 77/07
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: MACÍAS GUARASA, Javier; ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura;
    Fecha Inicio: 22/12/2007
    Fecha Fin: 22/12/2010
    Entidad financiadora: Ministerio de Fomento
    Cuantia económica: 24476
  • Título: HASSLE: Gestión del espectro y de la velocidad de la luz usando técnicas no lineales
    Referencia: TEC2006-09990-C02-02/TCM
    Investigador Principal: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel;
    Otros Investigadores: ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; VALDUEZA FELIP, Sirona;
    Fecha Inicio: 01/10/2006
    Fecha Fin: 30/09/2009
    Entidad financiadora: DIRECCIÓN GENERAL DE INVESTIGACIÓN (MINISTERIO)
    Cuantia económica: 70180

Libros

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Capítulos

  • VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; SOLÍS , J.; CORREDERA , Pedro; SARIGIANNIDOU , E.; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RAPENNE , L.; ESTEVE NÚÑEZ, Abraham; MONROY , Eva; . "Guías de onda de puntos cuánticos de GaN/AlN actuando como absorbentes saturables altamente eficientes a 1.55 mum". Libro de Actas de la VIII Reunión Española de Optoelectrónica (ISBN: 978-8-4887-5421-9 ). . 2013. .
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; RUTERANA , P.; WANG , Y.; GRENET , L.; CHAUVAT , M. P.; MONROY , Eva; . "Innovative proposal towards high-In content InGaN/GaN junctions for photovoltaic applications". Libro de Actas de la VIII Reunión Española de Optoelectrónica (ISBN: 978-8-4887-5421-9 ). . 2013. .
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; MONROY , E.; SOLÍS , J.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; . "Ultrafast nonlinear optical response in GaN/AlN quantum dots for optical switching applications at 1.55 µm". Quantum Dots / Book 2 (ISBN: 979-9-5330-7857-0 ). . 2012. .
  • ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; VALDUEZA FELIP, Sirona; DÍAZ-HERRERA , N.; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; NAVARRETE , M.C.; GONZÁLEZ-CANO , A.; . "An environmental-friendly highly-sensitive SPR sensor ". Libro de Actas de la VII Reunión Española de Optoelectrónica (ISBN: 978-84-86116-31-6 ). Santander. 2011. p. 25 .
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; WIRTHMÜLLER , A.; MONROY , Eva; , J. Viegas; MARQUES , P.; . "Design and optical characterization of GaN/AlN quantum well based waveguides for optical switching at 1.5 um". Libro de Actas de la VII Reunión Española de Optoelectrónica (ISBN: 978-84-86116-31-6 ). Santander. 2011. .
  • ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; DÍAZ HERRERA, N.; VALDUEZA FELIP, Sirona; NAVARRETE , M.; GONZÁLEZ CANO, A.; . "Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover". Proceedings of the 21st International Conference on Optical Fiber Sensors (OFS-21) (ISBN: 978300030509 ). . 2011. .
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; WIRTHMÜLLER , A.; MONROY , Eva; , J. Viegas; MARQUES , P.; . "Design and characterization of nitride-based waveguides for optical switching operating at 1.5 µm". Proceedings of the EOS Annual Meeting 2010 (ISBN: 978-3-00-030509-2 ). . 2010. .
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; LAHOURCADE , L.; WIRTHMÜLLER , A.; MONROY , E.; FERNÁNDEZ , S; . "Morphological, structural and optical properties of high-quality InN on GaN-template films deposited by RF sputtering ". Proceedings of the European MRS Fall meeting 2009 (ISBN: 83-89585-27-8 ). . 2009. p. 34 - 34 .
  • NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; KANDASWAMY , P.K.; VALDUEZA FELIP, Sirona; LAHOURCADE , L.; CALVO , V.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MARTÍN-LÓPEZ , S.; CORREDERA , P.; MONROY , E.; . "Non-linear absorption measurements of InN/InGaN multiple-quantum-wells structures at 1.5 µm using the Z-Scan method ". Proceedings of the European MRS Fall meeting 2009 (ISBN: 83-89585-27-8 ). . 2009. p. 18 - 19 .
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; LAHOURCADE , Lise; MONROY , Eva; . "Optical properties of high-quality InN on GaN-template films deposited by reactive radio-frequency sputtering ". Libro de Actas de la VI Reunión Española de Optoelectrónica (ISBN: 978-84-692-3931-5 ). Malaga. 2009. p. 117 - 121 .
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; FERNÁNDEZ , H.; SOLÍS , J.; FERNÁNDEZ , Susana; GUILLOT , F.; MONROY , Eva; GRANDAL , J.; SÁNCHEZ-GARCÍA , M. A.; . "Novel nitride - based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 µm ". Proceedings of the IEEE International Symposium on Intelligent Signal Proceesing (WISP) (ISBN: 1-4244-0829-6 ). . 2007. p. 827 - 832 .

Artículos

  • NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NAVIO , Cristina; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering". (ISSN: 0021-4922). Japanese Journal of Applied Physics. 2016 , vol 55
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2016
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."P-i-n InGaN homojunctions (10­-40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm ". (ISSN: 0927-0248). Solar Energy Materials and Solar Cells. 2016
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Study of high In content AlInN deposition on p-Si (111) by rf-sputtering". (ISSN: 0021-4922). Japanese Journal of Applied Physics. 2016
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."III-nitride-based waveguides for ultrafast all-optical signal processing at 1.55 mm". (ISSN: 0031-8957). Physica Status Solidi. 2015
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: effect of the buffer layer". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2015 , vol 434 , p. 13 - 18
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; , Q. Li; , M. P. Chauvat; , T. Cremel; , K. Kheng; ."High-In content InGaN homojunctions synthesized by plasma-assisted molecular beam epitax: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics". (ISSN: 0021-8979). Journal of Applied Physics. 2014
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2014 , vol 105 , p. 131105 -
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; BELLET-AMALRIC , E.; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; WANG , Y.; CHAUVAT , M.-P.; RUTERANA , P.; POUGET , S.; LORENZ , K.; ALVES , E.; MONROY , Eva; ."High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics". (ISSN: 0021-8979). Journal of Applied Physics. 2014 , num 116 , p. 233504 -
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; , A. Mukhtarova; , L. Grenet; BOUGEROL , C.; , C. Durand; , J. Eymery; ."Improved conversion efficiency of InGaN/GaN quantum-well solar cells for hybrid integration". (ISSN: 1882-0778). APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2014 , vol 7 , p. 32301 -
  • MUKHTAROVA , Anna; VALDUEZA FELIP, Sirona; DURAND , Christophe; PAN , Qing; GRENET , Louis; PEYRADE , David; BOUGEROL , Catherine; CHIKHAOUI , Walf; EYMERY , Joël; ."InGaN/GaN multiple-quantum well heterostructures for solar cells grown by MOVPE: case studies". (ISSN: 1610-1642). physica status solidi (c). 2013 , vol 10 , p. 350 - 354
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; PAN , Q.; ALTAMURA , G.; PEYRADE , D.; GONZÁLEZ-POSADA , F.; ."Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multiple-Quantum Well Solar Cells". (ISSN: 0021-4922). Japanese Journal of Applied Physics. 2013 , vol 52
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ-CASCAJEROAND , A.; ."Two-step method for the deposition of AlN by radio frequency sputtering". (ISSN: 0040-6090). Thin Solid Films. 2013 , vol 545 , p. 149 - 153
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Two-step method for the deposition of AlN by radio-frequency sputtering". (ISSN: 0040-6090). Thin Solid Films. 2013 , num 545 , p. 149 - 153
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Waveguide saturable absorbers at 1.55 mum basedon intraband transitions in GaN/AlN QDs". (ISSN: 1094-4087). Optics Express. 2013 , vol 23 , num 21 , p. 27578 - 27586
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Waveguide saturable absorbers at 1.55 um based on intraband transitions in GaN/AlN QDs". (ISSN: 1094-4087). Optics Express. 2013 , vol 21 , p. 27578 - 27586
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; RIGUTTI , L; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; RUTERANA , P; MANGENEY , J.; JULIEN , F.H.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , E.; ."Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2012 , vol 101 , p. 62109 - 62109
  • FERNÁNDEZ , S; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; DE ABRIL , O.; VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Development of ZnO:Al based transparent contacts deposited at low-temperature by RF magnetron sputtering on InN layers". (ISSN: 1610-1642). physica status solidi (c). 2012 , vol 9 , p. 1065 - 1069
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; IBÁÑEZ , J.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ARTÚS , L.; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Improvement of InN layers deposited on Si(111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer". (ISSN: 0040-6090). Thin Solid Films. 2012
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; RIGUTTI , L.; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; LACROIX , B.; FERNÁNDEZ , Susana; RUTERANA , Pierre; JULIEN , F. H.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; ."Infrared photoluminescence of high In-content InN/InGaN mulpiple-quantum-wells". (ISSN: 0031-8957). Physica Status Solidi. 2012 , vol 209 , p. 17 - 20
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; LACROIX , B.; FERNÁNDEZ , S.; JULIEN , F. H.; GONZÁLEZ-HERRÁEZ , M.; ."Infrared photoluminescence of high In-content InN/InGaN multiple-quantum-wells". physica status solidi (a). 2012 , vol 209 , p. 17 - 20
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; MANGENEY , J.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; JULIEN , F. H.; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Nonlinear absorption at optical telecommunication wavelengths of InN films deposited by RF sputtering". (ISSN: 1041-1135). IEEE Photonics Technology Letters. 2012
  • ESTEBAN , O.; VALDUEZA FELIP, Sirona; DÍAZ-HERRERA , N.; NAVARRETE , M.-C.; GONZÁLEZ-CANO , A.; ."High-sensitive SPR sensing with Indium Nitride as a dielectric overlay of optical fibers". (ISSN: 0925-4005). Sensors and Actuators, B: Chemical. 2011 , vol 158 , p. 372 - 376
  • ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; DÍAZ-HERRERA , N.; VALDUEZA FELIP, Sirona; NAVARRETE , M.C.; GONZÁLEZ-CANO , A.; ."High-sensitive SPR sensing with Indium Nitride as dielectric overlay of optical fibers". (ISSN: 0925-4005). Sensors and Actuators, B: Chemical. 2011 , vol 158 , p. 372 - 376
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; LAHOURCADE , L.; MONROY , E.; FERNÁNDEZ , S; ."High-surface-quality nanocrystalline InN layers deposited on GaN templates by RF sputtering ". (ISSN: 0031-8965). Physica Status Solidi (A) Applied Research. 2011 , vol 208 , p. 65 - 69
  • ESTEBAN MARTINEZ, Óscar; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; DÍAZ-HERRERA , N.; VALDUEZA FELIP, Sirona; NAVARRETE , M.C.; GONZÁLEZ-CANO , A.; ."Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover ". (ISSN: 0227-786X). SPIE Proceedings. 2011 , vol 7753 , p. 7753 - 7753
  • NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; KANDASWAMY , P.K.; VALDUEZA FELIP, Sirona; CALVO , V.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MARTÍN-LÓPEZ , S.; CORREDERA , P.; MÉNDEZ , J.A.; MUTTA , G.R.; LACROIX , B.; RUTERANA , P.; MONROY , E.; ."Non-linear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2011 , vol 98 , p. 319020 - 319020
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; KANDASWAMY , P. K.; CALVO , V.; MARTÍN-LÓPEZ , S.; , P. Corredera; MÉNDEZ , J. A.; MUTTA , G. R.; ."Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2011 , vol 98
  • FERNÁNDEZ , S; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; VALDUEZA FELIP, Sirona; DE ABRIL , O; ."Applications of ZnO:Al deposited by RF sputtering to InN low-cost technology ". (ISSN: 0031-8965). Physica Status Solidi (A) Applied Research. 2010 , vol 207 , p. 1717 - 1721
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; LAHOURCADE , L.; MONROY , E.; FERNÁNDEZ , S; ."Influence of deposition conditions on nanocrystalline InN layers synthesized on Si(1 1 1) and GaN templates by RF sputtering ". (ISSN: 0022-0248). Journal of Crystal Growth. 2010 , vol 312 , p. 2689 - 2694
  • NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; KANDASWAMY , P.K.; VALDUEZA FELIP, Sirona; LAHOURCADE , L.; CALVO , V.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MARTÍN LÓPEZ, Sonia; CORREDERA , P.; MONROY , E.; ."Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths". (ISSN: 1610-1642). physica status solidi (c). 2010 , vol 7 , num 1 , p. 100 - 103
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors by using quantum dots". (ISSN: 1041-1135). IEEE Photonics Technology Letters. 2010 , vol 22 , p. 1087 - 1089
  • HOFSTETTER , D.; VALDUEZA FELIP, Sirona; DI FRANCESCO , J.; BAUMANN , E.; GIORGETTA , F. R.; ."Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions". SPIE 7808. 2010 , vol 78080A , p. 1 - 8
  • NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; VALDUEZA FELIP, Sirona; FERNÁNDEZ , H.; SOLIS , J.; FERNÁNDEZ , S; MONROY , E.; GRANDAL , J; SÁNCHEZ-GARCÍA , M.A.; ."Non-linear properties of nitride-based nanostructures for optically controlling the speed of light at 1.5 µm". (ISSN: 0959-8324). Microelectronics Journal. 2009 , vol 40 , p. 349 - 352
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; GRANDAL , J.; SÁNCHEZ-GARCÍA , M. A.; ."Non-linear properties of nitride-based nanostructures for optically controlling the speed of light at 1.5 ¿m". (ISSN: 0026-2692). Microelectronics. 2009 , vol 40 , p. 349 - 352
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths". (ISSN: 1610-1642). physica status solidi (c). 2009 , vol 7 , p. 100 - 103
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; KEHAGIAS , T.; DIMITRAKOPULOS , G. P.; KOMNINOU , P.; ."Stranski¿Krastanow growth of (11-22)-oriented GaN/AlN quantum dots". (ISSN: 0003-6951). Applied Physics Letters. 2009 , vol 94
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; FERNÁNDEZ , H.; SOLIS , J.; GUILLOT , F.; MONROY , E.; NEVOU , L.; TCHERNYCHEVA , M.; JULIEN , F.H.; ."Characterization of the Resonant Third-Order Nonlinear Susceptibility of Si-Doped GaN-AlN Quantum Wells and Quantum Dots at 1.5 µm". (ISSN: 1041-1135). IEEE Photonics Technology Letters. 2008 , vol 20 , p. 1366 - 1368
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO , F. B.; FERNÁNDEZ , H.; SOLÍS , J.; GUILLOT , F.; NEVOU , L.; TCHERNYCHEVA , M.; ."Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 ¿m". Photonics Technology Letters, IEEE. 2008 , vol 20 , p. 1366 - 1368
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; SÁNCHEZ-GARCÍA , M. A.; ."Novel nitride-based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 µm". IEEE Int¿l Symp. on Intelligent Signal Processing (WISP). 2007 , p. 827 - 832

Artículos Electrónicos

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Congresos

  • , M. Jiménez-Rodríguez; VALDUEZA FELIP, Sirona; NARANJO , F.; ."Nonlinear optical characterization of InN/InGaN MQW through Z-Scan for passive mode-locked laser sources at 1.55 ¿m". Europeo. "39th European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE)". "(Eslovaquia)". (06/2015 - 06/2015).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Strain relaxation and In incorporation kinetics in high In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy". Internacional. "SPIE Photonic West". "(Estados Unidos)". (02/2015 - 02/2015).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."InGaN based solar cells". Regional. "French Atomic Energy Commission (CEA), Institute of Nanoscience and Cryogenics (INAC) - SP2M/NPSC". "(Francia)". (02/2015 - 02/2015).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; , E. Taylor; , R.W. Martin; ."High In content AlInN layers grown on sapphire and p silicon (111) substrates by RF sputtering". Europeo. "23rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH)". "(Alemania)". (10/2014 - 10/2014).
  • NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; MONTEAGUDO LERMA, Laura; JIMÉNEZ RODRÍGUEZ, Marco; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONROY , Eva; TAYLOR , E.; MARTIN , R. W.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."High-In content AlInN layers grown on sapphire and p-silicon (111) by RF-sputtering". Congreso. Internacional. "23rd European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH 2014". Rauischholzhausen "(Alemania)". (12/10/2014 - 15/10/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Effect of the quantum wells thickness on the performance of InGaN QW photovoltaic cells". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN)". "(Polonia)". (08/2014 - 08/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; JIMÉNEZ-RODRÍGUE , M.; ."Growth and Characterization of High In-content AlInN Layers Grown by Radio-Frequency Sputtering". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN)". "(Polonia)". (08/2014 - 08/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ALVES , E.; ."High-In-content InGaN grown by plasma-assisted MBE for solar cells: In incorporation and strain relaxation mechanisms". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN)". "(Polonia)". (08/2014 - 08/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown by MOVPE". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN)". "(Polonia)". (08/2014 - 08/2014).
  • NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; MONTEAGUDO LERMA, Laura; JIMÉNEZ RODRÍGUEZ, Marco; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONROY , Eva; RUIZ , Ana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Growth and Characterization of High In-content AlInN Layers Grown by Radio-Frequency Sputtering"". Congreso. Internacional. Wroclaw "(Polonia)". (24/08/2014 - 29/08/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."High-quality surface high In-content AlInN grown by RF-Sputtering". Europeo. "Junior European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (Euromat 2014)". "(Suiza)". (07/2014 - 07/2014).
  • NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; MONTEAGUDO LERMA, Laura; JIMÉNEZ RODRÍGUEZ, Marco; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONROY , Eva; RUIZ , Ana; FERNÁNDEZ , Susana; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."High- quality surface high In-content AlInN grown by RF-Sputtering". Congreso. Internacional. "Junior EUROMAT 2014". Lausana "(Suiza)". (21/07/2014 - 25/07/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Improved conversion efficiency of solar cells based on InGaN/GaN multiple-quantum wells". Europeo. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2014 - 05/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Relaxation and In incorporation in high In-content InGaN junctions grown by plasma-assisted MBE for photovoltaic applications". Internacional. "5th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN5)". "(Estados Unidos)". (05/2014 - 05/2014).
  • , M. P. Chauvat; VALDUEZA FELIP, Sirona; MORALES , M.; ."Indium rich InGaN alloys for photovoltaics". Internacional. "Energy Materials Nanotechnology (EMN) Spring Meeting 2014". "(Estados Unidos)". (02/2014 - 02/2014).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; , Y. Wang; ."A TEM investigation of MBE grown InGaN/GaN heterostructures for photovoltaic applications". Internacional. "E-MRS Fall Meeting 2013". "(Polonia)". (10/2013 - 10/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; IBÁÑEZ , J.; ARTÚS , L.; ."Morphological and optical properties of InN nanocolumnar films grown by RF sputtering". Europeo. "European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (Euromat 2013)". "(España)". (09/2013 - 09/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; IBÁÑEZ , Jordi; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ARTÚS , Luis; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphological and optical properties of nanocolumnar InN films grown by RF sputtering". Congreso. Europeo. "European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (EUROMAT 2013)". Sevilla (08/09/2013 - 13/09/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Deposition of InN nanocolumns by RF-sputtering using substrate-biased AlN buffer layers". Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10)". "(Estados Unidos)". (08/2013 - 08/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; SARZYNSKI , M.; ."High In-content InGaN/GaN junctions grown by plasma-assisted MBE for photovoltaic applications". Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10)". "(Estados Unidos)". (08/2013 - 08/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."High-efficient optical saturable absorbers at 1.55 µm based on GaN/AlN QW and QD waveguides". Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10)". "(Estados Unidos)". (08/2013 - 08/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; TRICHAS , E.; , E. Bellet-Amalric; ."III-N quantum cascade structures". Internacional. "10th International Conference on Nitride Seminconductors (ICNS-10)". "(Estados Unidos)". (08/2013 - 08/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown by MOVPE with extended spectral response". Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10)". "(Estados Unidos)". (08/2013 - 08/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Deposition of InN nanocolumns by RF-sputtering using substrate-biased AlN buffer layers". Congreso. Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS10)". Washington D.C. "(Estados Unidos)". (25/08/2013 - 30/08/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Highly-efficient optical saturable absorbers at 1.55 µm based on GaN/AlN QW and QD waveguides". Congreso. Internacional. "10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS10)". Washington D.C. "(Estados Unidos)". (25/08/2013 - 30/08/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Guías de onda de puntos cuánticos de GaN/AlN actuando como absorbentes saturables altamente eficientes a 1.55 µm". Nacional. "VIII Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL-2013)". "(España)". (07/2013 - 07/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Guías de onda de puntos cuánticos de GaN/AlN actuando como absorbentes saturables altamente eficientes a 1.55 µm". Nacional. "VIII Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL-2013)". "(España)". (07/2013 - 07/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Innovative proposal towards high-In content InGaN/GaN junctions for photovoltaic applications". Nacional. "VIII Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL-2013)". "(España)". (07/2013 - 07/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Innovative proposal towards high-In content InGaN/GaN junctions for photovoltaic applications". Nacional. "VIII Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL-2013)". "(España)". (07/2013 - 07/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Guías de onda de puntos cuánticos de GaN/AlN actuando como absorbentes saturables altamente eficientes a 1.55 µm". Congreso. Nacional. "VIII Reunión Española de Optoelectrónica". Alcalá de Henares (10/07/2013 - 12/07/2013).
  • ROUTOURE , J.-M.; VALDUEZA FELIP, Sirona; MUTTA , G. R.; N. FAYE , D.; GUILLET , B.; MÉCHIN , L.; ."Surface or volume conduction in InN thin films?". Internacional. "International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2013)". "(Francia)". (06/2013 - 06/2013).
  • ROUTOURE , J.M.; MUTTA , G.R.; FAYE , D.N.; GUILLET , B.; MÉCHIN , L.; MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; MONROY , Eva; RUTERANA , P.; ."Surface or volume conduction in InN thin films?". Conferencia. Internacional. "22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2013)". Montpellier "(Francia)". (24/06/2013 - 28/06/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Growth and characterization of InGaN/GaN multi-quantum-wells for photovoltaic application". Internacional. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ALTAMURA , G.; ."InGaN-based junctions grown by MBE on Si(111) for photovoltaic applications". Internacional. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; PEYRADE , D.; ."InGaN-based solar cells: Novel approaches". Internacional. "Photovoltaic Technical Conference ¿ Thin Film & Advanced Silicon Solutions 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Morphology control of nanocolumnar InN films through substrate-biased AlN buffer layers deposited by RF-sputtering". Internacional. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Nonlinear optical waveguides based on GaN/AlN quantum dots for optical switching at 1.55 µm". Internacional. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Optical and structural characterization of InGaN-based multi-quantum-well structure solar cells". Internacional. "Photovoltaic Technical Conference ¿ Thin Film & Advanced Silicon Solutions 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Progress and perspectives of GaN-based intersubband optoelectronics". Internacional. "E-MRS Spring Meeting 2013". "(Francia)". (05/2013 - 05/2013).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."InN/InGaN quantum wells synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy". Internacional. "SINOPLE Workshop". "(Polonia)". (05/2013 - 05/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , E.; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Morphology control of nanocolumnar InN films through substratebiased AlN buffer layers deposited by RF-sputtering". Europeo. "European MRS Spring meeting 2013". Strasbourg "(Francia)". (27/05/2013 - 31/05/2013).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; CORREDERA , P; RAPENE , L; SARIGIANNIDOU , E; STRASSER , G.; MONROY , E.; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Nonlinear optical waveguides based on GaN/AlN quantum dots for optical switching at 1.55 µm". Europeo. "European MRS Spring meeting 2013". Strasbourg "(Francia)". (27/05/2013 - 31/05/2013).
  • BEELER , M.; VALDUEZA FELIP, Sirona; BAHIR , G.; ."III-N heterostructures for infrared optoelectronics: present and perspectives". Europeo. "21st Eur. Workshop on Heterostructure Tech. (HETECH 2012)". "(España)". (11/2012 - 11/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Solar cells based on InGaN/GaN multiple-quantum-well heterostructures". Europeo. "21st Eur. Workshop on Heterostructure Tech. (HETECH 2012)". "(España)". (11/2012 - 11/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Strong nonlinear optical saturation of intraband absorption of GaN/AlN QD-based waveguides at 1.55 ¿m". Europeo. "21st Eur. Workshop on Heterostructure Tech. (HETECH 2012)". "(España)". (11/2012 - 11/2012).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Strong nonlinear optical saturation of intraband absorption of GaN/AlN QD-based waveguides at 1.55 mum". Europeo. "21st European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH 2012)". Barcelona (05/11/2012 - 07/11/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; , L. Rapenne; , E. Sarigiannidou; STRASSER , G.; ."Design and optical characterization of GaN/AlN quantum-dot waveguides for ultrafast optical switching at 1.55 ¿m". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN)". "(Japón)". (10/2012 - 10/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Novel approaches to InGaN-based solar cells". Internacional. "Int¿l Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN)". "(Japón)". (10/2012 - 10/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Design and optical characterization of GaN/AlN quantum-dot waveguides for ultrafast optical switching at 1.55 mum (aceptado)". Congreso. Internacional. "International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 ". Sapporo "(Japón)". (14/10/2012 - 19/10/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Diseño y caracterización óptica de guías de onda basadas en puntos cuánticos de GaN/AlN para conmutación óptica ultrarrápida a 1.5 µm". Nacional. "X Reunión Nacional de Óptica (RNO 2013)". "(España)". (09/2012 - 09/2012).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; NÚÑEZ CASCAJERO, Arántzazu; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; STRASSER , G.; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Diseño y caracterización óptica de guías de onda basadas en puntos cuánticos de GaN/AlN para conmutación óptica ultrarrápida a 1.5 mum". Congreso. Nacional. "X Reunión Nacional de Óptica (XRNO)". Zaragoza (04/09/2012 - 07/09/2012).
  • KOTSAR , Y.; VALDUEZA FELIP, Sirona; DAS , A.; SONGMUANG , R.; SAKR , S.; GROSS , E.; PESACH , A.; ."GaN quantum devices for infrared optoelectronics". Internacional. "4th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". "(Rusia)". (07/2012 - 07/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; GONZÁLEZ-POSADA , F.; PAN , Q.; MARIETTE , H.; ."InGaN-based heterostructures for solar cells". Internacional. "4th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". "(Rusia)". (07/2012 - 07/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Optical saturation of intraband absorption of GaN/AlN quantum-dot waveguides at 1.55 ¿m". Internacional. "4th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". "(Rusia)". (07/2012 - 07/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Study of AlN layers grown on sapphire by RF reactive sputtering by a two-step deposition method". Internacional. "4th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". "(Rusia)". (07/2012 - 07/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; ."Substrate bias effect in AlN buffer layers for InN films deposition by RF reactive sputtering". Internacional. "4th Int¿l Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". "(Rusia)". (07/2012 - 07/2012).
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; MONTEAGUDO LERMA, Laura; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; , CORREDERA GUILLEN PEDRO; RAPENNE , L.; SARIGIANNIDOU , E.; , G. Strasser; MONROY , Eva; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; ."Optical saturation of intraband absorption of GaN/AlN quantum-dot waveguides at 1.55 mum". Congreso. Internacional. "4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". Saint Petersburg "(Rusia)". (16/07/2012 - 19/07/2012).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Study of AlN layers grown on sapphire by RF reactive sputtering by a two-step deposition method". Congreso. Internacional. "4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". Saint Petersburg "(Rusia)". (16/07/2012 - 19/07/2012).
  • MONTEAGUDO LERMA, Laura; VALDUEZA FELIP, Sirona; GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel; MONROY , Eva; NARANJO VEGA, Fernando Bernabé; ."Substrate bias effect in AlN buffer layers for InN films deposition by RF reactive sputtering". Congreso. Internacional. "4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4)". Saint Petersburg "(Rusia)". (16/07/2012 - 19/07/2012).
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Tesis

  • VALDUEZA FELIP, Sirona; "Nitride-based semiconductor nanostructures for applications in optical communications at 1.5 mum". Director: GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel, NARANJO VEGA, Fernando Bernabé, . Mención Europea . UNIVERSIDAD DE ALCALA. Fecha de lectura: 07/2011. Sobresaliente cum Laude.
  • VALDUEZA FELIP, Sirona; "Nitride-based semiconductor nanostructures for applications in optical communications at 1.5 µm". Director: NARANJO VEGA, Fernando Bernabé, GONZÁLEZ HERRÁEZ, Miguel, . Departamento de Electrónica. Fecha de lectura: 28/07/2011. Sobresaliente Cum Laude.